兆易创新：需求不振致业绩下降，今年业绩指标完成难度非常大

21世纪经济报道见习记者 邓浩 上海报道

受行业处于下行周期和市场激烈竞争影响，存储和MCU龙头兆易创新前三季度业绩大降。公司管理层在11月9日盘后召开的2023Q3业绩说明会上表示，今年股权激励业绩指标完成难度很大。

兆易创新三季报显示，2023年前三季度，公司营收43.94亿元，同比-35.08%，归母净利4.34亿元，同比-79.27%；从单季度表现来看，Q3公司营收14.29亿元，环比-12.05%，归母净利0.98亿元，环比-47.45%。

“Q3营收下滑原因主要是芯片产品市场需求下降，产品价格相较去年下降，导致尽管公司产品销量有所增加，营业收入仍同比下降；此外，公司DRAM 产品规划以自研产品为主，Q3经销DRAM产品销售收入大幅减少。前三季度归母净利同比下降原因，主要系销售收入下降、第三季度汇兑收益减少以及存货减值损失增加。”公司管理层在交流会上解释称。

半导体产业带有明显的周期性特征，基本每隔4-5年就会经历一轮周期。上行周期从周期底部到周期顶部一般要经历1-3年，而下行周期从周期顶部到周期底部通常要经历1-2年。本轮价格周期约自2021年开始见顶下行，对兆易创新业绩造成极大影响。

“2023年前三季度仍处于下行周期。大存储产品价格经历了约6-7个季度的下跌周期，NOR Flash过去几个季度还是延续价格下跌的趋势；MCU产品价格也经历了大约4个季度的下降。”兆易创新管理层称。

不过，最近两个月，存储产品价格正在反弹，而MCU产品价格也趋于稳定，有业内人士表示周期复苏或将到来。

中原证券分析称，本轮DRAM周期在2021年4月左右见顶回落，今年9月价格触底回升，10月继续反弹，下行周期持续时间已达2年半左右；NAND Flash情况类似，自2021年8月左右见顶回落，9、10两个月部分NAND Flash现货价格反弹了20%以上。DRAM和NAND Flash价格都已跌破上一轮周期底，本轮下行周期价格拐点或已至，而海外存储龙头厂商纷纷减少产出及调整资本开支计划，供给端有望逐步收缩。

兆易创新管理层称，“展望明年，我们认为大体上随着减产效应的体现，供需会达到平衡的状态，大存储的价格有望延续反弹的走势，但也不太会出现暴涨暴跌的情况；利基型DRAM则会随着大存储反弹的走势，延续微弱反弹的趋势。”

今年10月，有媒体报道，MCU大厂盛群总经理高国栋也表示，MCU市场是否会回暖还需再观察一个季度，但至少目前产品单价趋于稳定。一旦市场需求出现反转，不仅去库存有望迅速完成，且业绩动能更有望同步升温，期待2024年可迎来曙光。

值得一提的是，今年7月4日，兆易创新审议通过了2023年股票期权激励计划议案，其中，2023年营收增长率目标为110%，对应的营收绝对值不低于 69.619 亿元。这意味着要完成股权激励目标，兆易创新今年Q4营收至少要达到25.674亿元。

而对于今年的业绩情况，兆易创新管理层在交流会上直言，“公司今年股权激励业绩指标完成难度非常大。公司会尽最大努力去完成。”